发布时间:2025-05-08 点此:64次
【CNMO科技音讯】据海外媒体报道,台积电2nm芯片研制发展顺畅,正按方案稳步推动,有望在2nm工艺节点竞赛中抢占先机,AMD更是首先完结流片,领跑苹果与英特尔。
现在,台积电2nm工艺节点在开发过程中体现出色,其缺点率明显优于3nm和7nm工艺在相同研制阶段的体现。
据报道,该节点芯片的良率现已到达台积电老练5nm工艺的水平,并估计将于2025年第四季度正式进入大规模量产阶段。
此次技能跃进的关键在于台积电选用了全新的GAAFET(全盘绕栅极场效应晶体管)架构。相较于传统的FinFET架构,GAAFET架构中的每个晶体管都选用了被栅极资料彻底包裹的nm片结构,这一革新大幅提升了晶体管密度,有用降低了漏电现象,并明显降低了功耗。这是台积电初次在量产芯片中使用GAAFET架构,标志着其在半导体制作技能上的又一次重大突破。
在客户协作方面,AMD成为第一批受益者,其下一代代号为“Venice”的EPYC芯片已首先完结流片,估计将成为2nm节点的首发产品。相比之下,苹果的iPhone 18和英特尔的Nova Lake CPU虽也方案选用台积电的2nm技能,但上市时刻将稍晚于AMD。
台积电的2nm工艺客户名单可谓奢华,苹果、AMD、英特尔、英伟达、高通、联发科以及博通等芯片规划范畴的巨子均已预定产能。其间,英伟达的Rubin GPU开始将选用3nm工艺制作,但未来有望晋级至2nm工艺。
台积电董事长魏哲家表明,商场对2nm工艺的需求空前高涨,远超此前3nm工艺引发的抢购热潮。
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